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SB100A型磁性薄膜磁電阻率測(cè)量?jī)x應(yīng)用特征

可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)及對(duì)磁電阻薄膜的磁電阻和導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻及電阻率的測(cè)試及研究。

SB100A為原SB100的改進(jìn)型。

SB100A由磁場(chǎng)電源SB119型穩(wěn)壓電源，SB118型精密直流電壓電流源，PZ158A型直流數(shù)字電壓表以及SB120四探針線(xiàn)圈樣品平臺(tái)四部分組成。

l 磁場(chǎng)電源：SB119型直流穩(wěn)壓電源能產(chǎn)生0-60V連續(xù)可調(diào)電壓，最大額定電流為5A輸出，詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品SB119。

l SB118型電壓電流源：是一臺(tái)4?位的電壓源及電流源，既可輸出5µV-50V，5檔可調(diào)電壓，基本誤差為±（0.1%RD+0.02%FS）又可輸出1nA-100mA，5檔可調(diào)電流，基本誤差為±（0.03%RD+0.02%FS）詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品SB118。

l PZ158A直流數(shù)字電壓表：其為1臺(tái)6?位的最高分辨力可達(dá)0.1µV，可測(cè)量0-1000V直流電流的精密儀表。基本量程的基本誤差為±（0.002%RD+0.0005%FS），詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品PZ158A。

l SB120線(xiàn)圈樣品平臺(tái)：其由底盤(pán)，可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤(pán)，在底盤(pán)上的樣品小平臺(tái)以及在樣品小平臺(tái)上安置的四探針組成。詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品樣品平臺(tái)。SB120/1線(xiàn)圈樣品平臺(tái)即亥姆霍茲磁場(chǎng)線(xiàn)圈平臺(tái)，其由2只相同類(lèi)型的線(xiàn)圈分別固定在樣品平臺(tái)的襯盤(pán)兩側(cè)。該線(xiàn)圈可以圍繞樣品小平臺(tái)作360o轉(zhuǎn)動(dòng)，在線(xiàn)圈通電0—60V/5A的情況下，可確保產(chǎn)生磁場(chǎng)0-150奧斯特。

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